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　　暨南大学物理系主任刘彭义剽窃篡改一稿五投令人惊奇

　　作者：正义小辈

　　最近，根据导师指示检索文献，上网查资料发现一离奇事件，以第一作者署
名刘彭义的有关研究文章竟然内容数据几乎一样，本人好奇，再一搜索，大开眼
界，一样内容的文章还不是本人原创，原来全是经过剽窃篡改后，再一稿多投的！

　　经过进一步搜索还发现，此人居然是暨南大学物理系主任，教授，硕士导师。
剽窃篡改别人的研究结果，反复发表就能当教授硕士导师，让我小辈惊讶无比。

　　下面将这一发现让读者诸君也开开眼界，第一作者署名刘彭义的文章有：

　　1．	用PECVD制备SnO2薄膜的结构、成份和气敏特性，传感器世界，1997年
第8期24-28页

　　2．	二氧化锡薄膜的PECVD制备和特性，暨南大学学报（自然科学版），
1997年第3期48-51页

　　3．	SnO2薄膜的形貌及其电特性分析,汕头大学学报,1997年第2期80-82页

　　4．	Sheet Resistance and Gas-Sensing Properties of Tin Oxide Thin 
Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, Plasma Science and 
Technology,16,No.2,Apri.2004

　　5．	Characterizations of SnO2and SnO2:Sb thin films prepared by 
PECVD, Vacuum，76(2004)7-11

　　以下是被剽窃和抄袭的文章：

　　1．刘祖黎等，电子密度对制备SnO2导电薄膜的影响，华中理工大学学报，
1993年第2期160-164页

　　2．朱大奇等, SnO2导电薄膜的制备及其电学性能研究,化学传感器,1993年
第4期277-279页

　　3．陈俊芳,刘祖黎等, PCVD制备SnO2:Sb薄膜及其电性能分析, 华中理工大
学学报，1993年21卷(增刊)的44-48页

　　以上五篇文章全部是剽窃上面所列3篇文章的内容和数据，其中，刘的几篇
文章中的二氧化锡薄膜扫描电镜（SEM）照片全都剽窃陈俊芳文章中照片，并将
放大倍数由1万倍改为2万倍，但标尺不符合图比例。设备装置图与被剽窃文章3
完全一样；刘文章2中的图2和3剽窃自刘祖黎的文章，与被剽窃文章中的图5和6
完全一样，只是将纵坐标参数篡改，坐标轴数值由0到5篡改为0到3。类似情况在
刘的文章中也有多处，真乃高手，令晚辈佩服。

　　另外，此人好像乐于此道，2007年发表的文章也是一稿两投，据说暨南大学
的老师以发表文章多少发奖金，不知道刘教授骗了暨南大学多少奖金？读者诸君
感兴趣可以进一步发掘。

(XYS20080624)

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