美国佐治亚理工学院王中林教授来所进行学术交流访问讲学

应中科院理化技术研究所纳米材料可控制备与应用研究室邀请，美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)王中林教授5月24日来所进行学术交流访问和讲学，下午，在北郊报告厅给科研人员和研究生作了One Dimensional Semi Conducting and Piezoelectric Nanostructures - Synthesis, growth mechanisms and properties的学术报告。

王中林教授是物理学博士，美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)终身教授，佐治亚理工学院校摄政董事教授 (Regents’ Professor), 佐治亚理工学院纳米材料科学与技术中心主任，中国国家纳米科学中心联合主任，中国首批国家自然科学基金海外优秀青年科学家，中国科学院海外杰出学者基金获得者，欧洲科学院院士。王中林教授长期从事纳米材料科学研究，在碳纳米管、纳米带、生物医用纳米材料等研究方面具有很深的造诣。曾荣获美国显微镜学会1999年巴顿奖章，佐治亚理工学院2000年杰出研究奖，2001年S.T.L奖金(美国化学学会)，美国自然科学基金会Career基金等。王中林教授在国际一流学术刊物上发表论文350篇左右，国际会议论文140篇左右，论文被引用六千次以上，是1992年至2000年十年内纳米科技论文引用次数世界个人排名前25位作者之一。他成功组织和担任过五次国际学术会议主席，出版四本专著和十本编辑书籍，被邀请做过240余次学术讲演和大会特邀报告。法国居里夫人大学和法国联合大学曾于2003年5月7日，以王中林教授个人名誉举办纳米科技专题研讨会

人教处

2005.5.25
http://www.ipc.ac.cn/info_www/news/detailnewsb.asp?infono=2632